电磁干扰与兼容网讯 在媒质有损耗的情况下，其中的电磁场的频率可以用复数来表示，损耗体现在复频率的虚部。对于微波谐振腔而言，损耗与其值有关。一般情况下，损耗包括腔内媒质的介电损耗，磁损耗，欧姆损耗以及腔壁的欧姆损耗等，因而值与媒质的（复）介电常数、（复）磁导率、电导率以及腔壁电阻等电磁参数有关。事实上，只有在媒质损耗很小时，值才仅仅与复频率的虚部有关。但我们知道在有些情况下，例如在磁共振实验中发生共振的情况下，样品的介电损耗或磁损耗可能较大，使得 值与媒质的电磁参数以及复频率三者之间的关系变得十分复杂。但若样品所占的体积很小，则可借助微扰公式求得值与媒质参数的关系。但对于场量的频率是复频率的情形，不能用场量与其复共轭的乘积来表示功率或能量的平均值，而且在考虑了腔壁损耗后，在腔壁上电场的切向分量不为零，使得在推导谐振腔的微扰公式时不能象无耗样品的情形那样对场方程取复共轭，这时上述关系就会变得含混不清。这不仅是个理论问题，也是在如磁共振等实验中需要面对的问题。

浦天舒

    东华大学理学院的浦天舒教授利用复数形式的Poynting定理推导了微波谐振腔的 值与媒质电磁参数之间的关系并提出了高 腔的两种含义.基于考虑了腔内媒质的介电损耗,磁损耗,欧姆损耗以及腔壁的欧姆损耗的谐振腔基本方程式,由其特征方程求得复频率与谐振腔 值的关系.由这些关系较一般化地推导腔内异物微扰公式。